蒸發(fā)鋁線是一種通過真空蒸發(fā)工藝在基材表面沉積鋁層形成的導(dǎo)電材料，廣泛應(yīng)用于電子元器件和半導(dǎo)體領(lǐng)域。其核心在于將高純度鋁（99.99%）在真空環(huán)境下加熱至氣態(tài)，隨后在陶瓷、玻璃或硅片等基材上凝結(jié)成微米級薄膜。這種工藝能實(shí)現(xiàn)0.1-5μm的厚度控制，且方阻值可低至0.1Ω/□（厚度1μm時(shí)），同時(shí)保持優(yōu)異的光反射率（可見光波段≥85%）。

與傳統(tǒng)的電鍍或壓延鋁箔相比，蒸發(fā)鋁線具有三大獨(dú)特優(yōu)勢：首先其無應(yīng)力沉積特性避免了機(jī)械加工導(dǎo)致的晶格缺陷，特別適合柔性基板應(yīng)用；其次真空環(huán)境徹底隔絕氧化，單次成膜純度遠(yuǎn)超大氣環(huán)境工藝；最重要的是能通過掩膜技術(shù)直接形成精密電路圖案（線寬可達(dá)20μm），省去了蝕刻工序。這些特點(diǎn)使其成為LED芯片鍵合線、薄膜太陽能電池背電極以及射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的首選材料。

在生產(chǎn)過程中需要重點(diǎn)關(guān)注蒸發(fā)源的溫度控制（通常維持在1200-1500℃），特別是鋁絲進(jìn)給速度與真空度（10?3Pa級）的匹配關(guān)系，任何波動(dòng)都會(huì)導(dǎo)致薄膜出現(xiàn)針孔或厚度不均?，F(xiàn)代設(shè)備通過電子束蒸發(fā)（加速電壓20-30kV）配合離子輔助沉積技術(shù)，能將沉積速率提升至50nm/s以上，同時(shí)顯著增強(qiáng)薄膜附著力（劃格法測試達(dá)5B級）。

隨著微型化趨勢發(fā)展，蒸發(fā)鋁線技術(shù)正在向低溫工藝（＜150℃）和復(fù)合鍍層方向演進(jìn)。例如采用鋁鎂合金（Mg含量2-5%）可提升薄膜延展性，而通過交替沉積氧化鋁鈍化層（Al?O?厚度10-20nm）則能有效抑制電遷移現(xiàn)象。這些創(chuàng)新使得蒸發(fā)鋁線在5G濾波器、MicroLED顯示等新興領(lǐng)域持續(xù)拓展應(yīng)用邊界。